碳化硅反應(yīng)器反應(yīng)管路無(wú)金屬接觸，耐腐蝕性能，*的反應(yīng)器設(shè)計(jì)，傳質(zhì)和傳熱效率，溫度范圍從-25℃到200℃，可視性強(qiáng)，易于清潔，可用于光反應(yīng)。

　　反應(yīng)器高效工藝開發(fā)和中試生產(chǎn)平臺(tái)，可以串聯(lián)多達(dá)5個(gè)反應(yīng)模塊，多達(dá)10個(gè)可以獨(dú)立控制的LED陣列，反應(yīng)器開發(fā)的工藝，可以在康寧G3光化學(xué)反應(yīng)器上實(shí)現(xiàn)無(wú)縫放大。反應(yīng)器芯片為無(wú)壓燒結(jié)碳化硅材質(zhì)，具有強(qiáng)的耐化學(xué)腐蝕性和導(dǎo)熱率，可處理包括KOH等強(qiáng)腐蝕性物質(zhì)，其高導(dǎo)熱率決定了其具有換熱效率，改善了反應(yīng)過(guò)程的傳熱條件，加快了反應(yīng)效率。反應(yīng)器外部支架為不銹鋼材質(zhì)，帶有特制隔熱保溫層，可有利于節(jié)能降耗以及更精準(zhǔn)的控溫。

　　碳化硅反應(yīng)器產(chǎn)品特點(diǎn)

　　1、反應(yīng)器芯片原材料為亞微米級(jí)高純碳化硅，純度99.5%以上，采用無(wú)壓燒結(jié)工藝經(jīng)2150度燒制，并經(jīng)精密加工而成；

　　2、單組反應(yīng)器單元為多片式結(jié)構(gòu)，采用高溫鍵合成一個(gè)整體，*消除了泄露風(fēng)險(xiǎn)，芯片自身帶有溫度探頭，可靈活監(jiān)控反應(yīng)溫度；

　　3、反應(yīng)器芯片采用“反應(yīng)/換熱一體式”設(shè)計(jì)，一面是反應(yīng)通道，一面是換熱通道，兩種功能集成在一塊碳化硅板上，提高了換熱效率；

　　4、換熱系統(tǒng)的冷熱媒可直接注入反應(yīng)器芯片的換熱通道內(nèi)，通道采用流線型設(shè)計(jì)并安裝有擾流擴(kuò)散器，既滿足了媒介的快速流動(dòng)，不會(huì)產(chǎn)生明顯壓降，又可保證媒介與芯片本體充分接觸，有利于精準(zhǔn)控溫；

　　5、反應(yīng)器模塊單元帶有特制的保溫隔熱層，使用特殊保溫材料將碳化硅反應(yīng)器芯片充分包裹，碳化硅芯片與外部金屬部分無(wú)接觸，保溫隔熱性能大大提高，有利于節(jié)能降耗，同時(shí)增加了設(shè)備使用中的安全性。